題  目：Three generations of IC technologies from Silicon, GaAs, to high power GaN microelectronics

内容簡介：We initiated the 1st seminar in August with focus on mainstream silicon MOSFET IC (G1). This upcoming seminar 2 will be on compound semiconductor IC (CSIC) of GaAs MESFET and PHEMT technologies (G2).

GaAs has some technical advantages over silicon. Higher electron mobility enables faster speed than in silicon. Cellphones, for instance, typically rely on high-speed GaAs chips to process high-frequency signals that arrive faster than silicon can handle. Other advantages include low noise, high-power, LED applications. We will review IC device fabrication process technologies, MESFET and PHEMT layer structures, wafer manufacture and automated testing, high-speed digital switch and power amplifier applications, wafer-level device characterizations, ESD and failure analysis, quality and reliability. The next planned seminar will be focused on the latest wide-bandgap GaN (G3) IC technologies.

報告人：太阳集团app首页  高峰  教授

報告人簡介：研究方向為模拟集成電路設計、射頻功率器件的測量與表征、集成電路芯片質量和可靠性的測量與評估。1992年博士畢業于美國佛羅裡達大學，1992-1995年任密西根大學安娜堡分校和伊利諾伊大學博士後研究員。1995-2018年擔任美國高科技公司（Skyworks Solutions、MACOM Technology等）的高級總工程師和高級工程經理，從事半導體器件和IC芯片的技術研發，編寫美國專利，撰寫或合著60多篇國際期刊或會議論文。2019年1月到現在擔任太阳集团app首页講座教授，2020年入選廣東省“銀齡專家”。

時  間：2021年10月24日（周日） 上午 10：00開始

地  點：騰訊會議  會議ID：823 576 576

熱烈歡迎廣大師生參加!

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2021年10月18日